2024年10月22日 · 综上所述,势垒电容和扩散电容在理解PN结的电学特性中扮演着重要角色。势垒电容反映了势垒层对电场的存储能力,而扩散电容描述了载流子扩散引起的电荷储存特性。通过计算和分析这些电容值,我们可以更深入地了解PN结的工作机制和性能。
本文围绕pn结势垒电容和扩散电容的形成机理和特点展开讨论,介绍了它们的原理和应用。 通过深入了解这两种电容的特点和应用,我们可以更好地应用它们,并在集成电路领域取得更好的效果。
2023年9月7日 · 扩散电容的工作原理基于掺杂浓度差异引起的电荷扩散过程。 当施加正向电压时,电荷从高浓度区域向低浓度区域扩散,电荷分布改变,电容值增大。 当施加反向电压时,电荷扩散减少,电容值减小。
扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流）,注入P区的少子（电子）在P区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P区有电子的积累。 同理,在N区有空穴的积累。
2023年5月5日 · 扩散电容是半导体器件中重要的一个参数,它可以影响器件的高频性能和动态特性。 通过计算扩散电容可以预估随着外部电势变化,载流子的位置发生移动对电容值的影响程度,为器件的设计者提供了便利。
2023年5月5日 · 本研究结果揭示了载流子固相扩散能垒对超级电容器自放电过程的影响,可为储能器件的自放电抑制提供了广泛适用的设计依据。 Yan X, He Y, Liu X, Jing S, Guan J, Gao W, Ray S, Xiong Y, Li T, Ge X.* Deterministic Effect of the Solid-State Diffusion Energy...
2024年7月17日 · 扩散电容的工作原理： 扩散电容是由两个不同掺杂浓度的区域组成的电容器。 其中一个区域（通常是N型）具有高浓度的掺杂,而另一个区域（通常是P型）具有低浓度的掺杂。
本文通过对pn结势垒电容和扩散电容的形成机理和特点进行全方位面评估,深入探讨了其在半导体器件中的重要性和作用。 通过对其特点和应用场景的分析,希望能够为读者提供一些有价值的参考信息,促进半导体技术的发展和应用。
2023年4月26日 · 本研究结果揭示了载流子固相扩散能垒对超级电容器自放电过程的影响,可为储能器件的自放电抑制提供了广泛适用的设计依据。 该工作于 2023 年 4 月在线发表,我院硕士生闫小辉为第一名作者,原我院硕士生何岳（现新西兰奥克兰大学在读博士生）为共同一作
扩散电容（Diffusion capacitance）是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应。 pn结扩散电容是来自于非平衡少数载流子（简称非平衡少子）在pn结两边的中性区内的电荷存储所造成的电容效应（因为在中性扩散区内存储有等量的非平衡电子和非平衡空穴的电荷,它们的数量受到结电压控制）。 这种由于注入载流子存储电荷随着电 压变化所产生的扩散电容将随正向电压而按指数