2023年7月6日 · 硅电容器是近几年研发出来的一类新型电容器,凭借着超小尺寸、高频响应、低电阻、高可信赖性等优势领先在航空、军事领域实现应用。
2023年9月19日 · 为了解决这个问题并满足更广泛恶劣环境应用之需求,以硅材料作为绝缘体,且以半导体技术加以制造的硅电容器（Silicon Capacitor,Si-Cap）开始在市场上崭露头角。 单 MIM 或多 MIM+3D 纳米结构=更高静电电容值. 当前硅电容器在结构上多半采用三层式「金属/绝缘体/金属」（Metal-Insulator-Metal,MIM）形式,另外也有多 MIM 结构的硅电容器,其每一个 MIM
村田的硅电容器与半导体MOS工艺源自相同的DNA,具有以经过验证的一致性数据建立的全方位模块默认模型,因此提供了可预测、极为可信赖的性能。 相较于其他电容器技术,我们的硅电容器技术在可信赖性方面提高了10倍,这主要得益于在高温固化过程中生成的氧化物。
2023年9月19日 · 日厂村田制作所（Murata Manufacturing）旗下子公司MIPS（Murata Integrated Passive Solutions,前身为法国硅被动元件厂商IPDiA,2016年村田收购,2017年更名）的高密度硅电容器技术便是采用内埋在非晶基板的单MIM或多MIM结构。 高密度硅电容器是采用 半导体 MOS制程开发,并使用3D奈米结构增加更高的电极表面积,进而获得更高的静电电容值。 3D
硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。 因此,所提供的极高精确度和控制能力可生产出具有优秀参数稳定性且近乎理想的电容器,但参数值范围相对有限,并且与最高直接的竞争对手陶瓷器件相比,成本要高得多。
2024年3月5日 · 硅电容是什么 首先我们需要了解电容是什么？ 物理学上电容的概念指的是给定电位差下 自由电荷 的储藏量,记为C,单位是F,指的是容纳电荷的能力,C=εS/d=ε0εrS/4πkd=Q/U。
2023年10月11日 · 通过前期的介绍可以看到,硅电容是传统电容的很好的补充,特别是当对电容有高可信赖性,耐极高温度,极小尺寸或者和当前先进的技术封装兼容的要求情况下,硅电容是不可或缺的。
2024年10月15日 · 硅电容器即使在超高频下插入损耗也非常低,尺寸也非常小,因此有助于削减超宽带光通信设备的功耗和安装面积。 射频功率放大器 可以解决伴随高速大容量通信带来的单频宽带化问题,即在功率放大器模块内消除互调失真,防止信号品质降低。
2024年1月21日 · 硅电容器,简称Si-Cap,是指以硅材料为介电层,采用半导体制造工艺制作而成的电容器。 电容器还包括陶瓷电容、铝电解电容、钽电容、薄膜电容等传统品类,其中陶瓷电容是当下市场应用覆盖最高广、成熟度最高高的电容器,市场占比约59%,具有高频率、低阻抗、高耐热特性。 相比之下,尽管硅电容拥有超小尺寸、超高频率、高容量、可信赖性和稳定性等特点,但技
2024年5月22日 · 特别是采用薄膜半导体技术的硅电容器,因其与多层陶瓷电容器（MLCC）相 比具有厚度更薄、电容量更大,温度特性更优秀、即使在高温环境下也不容易发生电容量变化等优