2018年5月23日 · 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱响应特性。
2018年7月6日 · 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流,在电压轴上的截距即为开路电压。
2005年7月23日 · 图3 为硅光电池的光谱特性曲线．即相对灵敏度Kr 和入射光波长λ 的关系曲线．从图 4 中可看出,硅光电池的有效范围约在450—1100 nm之间． 硅光电池的灵敏度 K 为
光电池的温度特性是指开路电压、短路 电流与温度的关系。 由于它影响光电池仪器的温度漂 移、测量精确确度等重要指标,因此显得尤为重要。 图 10是硅光电池在1000 lx光照下的温度特性曲线。
2013年6月30日 · 本实验以单晶硅光电池为例,通过实验让学生了解硅光电池的机理,学习和掌握测量 短路电流的方法和技巧,以及光电转换的基本参数测量。 二、实验目的
2012年3月9日 · 硅光电池的开路电压、短路电流随温度变化的曲线表征了它的温度特性。 由于它关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移,影响测量精确度或控制精确度等重要指标,因此温度特性是光电池的重要特性之一。 图4为硅光电池的温度特性曲线,图中可以看出硅光电池开路电压随温度上升而明显下降,短路电流随温度上升却是缓慢增加的。 因此,光电池作为检测元件时,应考虑
2014年4月22日 · 硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点：如光谱响应范围宽、性能
2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大； 反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 (很大动态范围内)。
2022年6月12日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1）无偏压工作状态,光电流随负载变化很大。 2）反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关（很大的动态范围内）。
由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1. 反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 2. 无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 偏区工作时,只有当 RL 较小时,电流比较稳定,而当 RL 较大时,电流与电压呈非线性关系。 上的截距即为开路电压Voc。 硅光电池特性的研究实验报告-定照度下,光电池被短路（负载电