2023年12月19日 · 以N型单晶硅(C-Si)为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)和掺杂的P型非晶硅(P-a-Si:H),和硅衬底形成P-N异质结。
2024年9月6日 · TOPCon电池结构为N型硅衬底电池,在电池背面制备一层超薄氧化硅,然后再沉积一层掺杂硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构,有效降低表面复合和金属接触复合,为N-PERT电池转换效率进一步提升提供了更大的空间。
2024年12月18日 · 近日,位于天合光能的光伏科学与技术全方位国重点实验室正式宣布其自主研发的高效n型全方位钝化异质结（HJT）电池,经德国哈梅林太阳能研究所（ISFH）下属的检测实验室认证,最高高电池效率达到27.08%,创造了HJT太阳电池效率新的世界纪录,这是天合光能第29次创造和刷新世界纪录,同时也是目前正背面
2024年10月9日 · N-PERT双面电池采用N型硅作衬底,其双面率较高普遍可以达到90%左右,同时具备低成本、高寿命、无光致衰减等优点； TOPCon（隧穿氧化层钝化接触电池）是在N型电池工艺的基础上研发出的隧穿氧化层钝化接触技术,于2013年由德国Fraunhofer研究所首次提出,其融合了N型PERT电池的优势,具有更高的理论效率极限,且较PERC仅增加了硼扩、隧穿氧化层
2020年7月10日 · TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触（Tunnel Oxide Passivated Contact）太阳能电池技术,其电池结构为N型硅衬底电池,在电池背面制备一层超薄氧化硅,然后再沉积一层掺杂硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构,有效降低表面复合和
2024年2月22日 · 相比于P型衬底晶硅电池,N型晶硅电池少数载流子寿命更长、对杂质容忍度更高、更易于钝化、电学性能更优秀。 为提高转化效率,IBC太阳电池的硅基体一般选用高质量的N型直拉单晶硅片。
2021年7月26日 · 晶硅电池技术是以硅片为衬底,根据硅片的差异区分为P型电池和N型电池。 P型电池 （左）和N型电池（右）结构示意图. 两种电池发电原理无本质差异,都是依据PN结进行 光生载流子 分离,但是由于扩散B元素和 P元素 在实际工艺上差异、以及晶体硅内部缺陷对光照的响应和对少子的捕获能力差异,导致二者在实际工业生产中面临不同的挑战和发展前景。 P型硅片
2023年11月28日 · 根据丁健宁等《高效晶体硅太阳能电池技术》,发射极在正面的 HJT 太阳能电池的结构：以 n 型单晶硅为衬底,在其正面依次沉积厚度为 5～10nm 的本征 a-Si:H 薄膜、p 型 a-Si:H 薄 膜,从而形成 pn 异质结。
2022年8月4日 · 晶硅电池技术是以硅片为衬底,根据硅片的差异区分为P型电池和N型电池。 两种电池发电原理无本质差异,都是依据PN结进行光生载流子分离。 在P型半导体材料上扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为P型电池片； 在N型半导体材料上注入硼元素,形成p+/n 型结构的太阳电池即为N型电池片。 P型电池制作工艺相对简单,成本较低,主要是BSF电池
2024年2月26日 · 2023年是N型量产元年,根据数据显示,到2023年年底,电池片总产能约为1173GW,同比增长106%,其中新增产能主要以N型TOPCon电池为主,TOPCon电池片迎来投产高峰期。