随着晶体硅太阳电池制备技术的进步的步伐,产业化电池效率不断向实验室记录靠近.电池效率的提升依赖硅片的质量,而硅片的质量则主要是由其中的杂质和缺陷决定的,p型掺硼直拉单晶硅太阳电池在光照下会出现效率衰退现象,因此,提高晶体硅的品质并抑制光衰的措施和
P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 大家基本一致的看法是： 光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体,从而使少子寿命降 低,引起电池转换效率下降,但经过退火处理,少子寿命又可被恢复,其 可能的反应为：
高效,低成本是目前晶体硅太阳能电池主要追求的目标.钝化发射极背面接触(PERC)电池技术因为良好的氧化铝背表面钝化而具有较高的转换效率,是目前产业界认为最高有潜力的高效电池技术之一.然而PERC电池具有严重的光致衰减(LID)问题,所以对PERC电池表面
不同质量的 材料在光照之后其少子寿命 衰减幅度有较大差别,由此 基本可以预测出用此硅片制 作的电池的初始光致衰减的 程度以及可达到的最高高电池 转换效率。 f一. P型 (掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理. （一）含有硼和氧的硅片经过光照后出现不同程度的 衰减（如图2、图3、图4所示）。 硅片中的硼、氧 含量越大,在光照或电流注入条件下产生的硼氧 复合体越多,少子寿
但是,常规的晶体硅太阳电池在应用过程中存在光衰减现象,使得电池的转换效率下降3-5％,大大限制了太阳电池的发展。 早期研究发现光衰减现象与硅中的硼氧复合体有关,然而到目前为止光衰减缺陷的本质尚未定论。
本文围绕着晶体硅太阳电池光衰减的性质、行为以及抑制(或消除)手段,开展了系统研究,得到了以下主要创新结果: (1)建立了光衰减中心——硼氧复合体与双氧的关系。
2022年1月24日 · 摘要： 晶体硅光伏组件存在多种光/电衰减机制,为了研究不同衰减条件的影响,该文首先对不同条件的衰减机理进行探讨;然后进行不同类型的衰减试验,并对试验结果进行分析。
晶体硅太阳能电池光致衰减效应是目前太阳能电池技术面临的一个重要问题。 了解光致衰减效应的原因和机制,并采取相应的应对措施,对于提高晶体硅太阳能电池的使用寿命和效率具有重要意义。
2017年11月7日 · 介绍了近年来对掺硼晶硅 （Cz2Si 和 mc2Si） 太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果。 通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在。
本文系统研究了掺硼和掺镓的单晶硅PERC型太阳电池中光致衰减的基本性质和行为,最高终取得如下创新成果： （1）研究掺硼单晶硅中的光致衰减现象,发现其在烧结工艺后存在硼氧复合体引起的光致衰减（BO-LID）和较高温度下的光致衰减（LeTID）这