2020年3月15日 · 单晶硅中掺磷是N型（Negative）,掺磷越多则自由电子越多（电子为多数载流子）,导电能力越强,电阻率就越低； 单晶硅中掺硼为P型（Positive）,掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多（空穴为多数载流子）,导电能力越强,电阻率就越低。 1.2 PN结的形成. a. 制造一个P-N结,必须使一块完整的晶体硅的一部分是P型区域,另一部分是N型区域,也就是在晶体内
2023年4月17日 · 晶体硅太阳电池制造采用了高温化学热扩散的方式来实现掺杂制结。 热扩散利用 高温驱动杂质穿过硅的晶格结构,这种方法受到时间和温度的影响,需要 3 个步 骤：预淀积、推进和激活。 扩散的三个指标：方阻、结深、表面浓度. 方阻值大小主要为表面浓度和结深的综合表征,其对电池片参数的影响主要有以 下三点：1）扩散 P-N 结深度直接影响到其对短波光线的吸
2024年10月9日 · P型、N型主要是根据硅料掺入杂质及导电类型的不同划分：当硅中掺杂硼、铝、镓等,以空穴导电为主时,为P型；当硅中掺杂磷、砷、锑等,以电子导电为主,为N型。
2012年2月8日 · n型掺杂层结构对n-i-p型微晶硅电池性能和光致衰退特性的影响 星级： 7 页 n型层对柔性衬底微晶硅太阳电池特性的影响
2022年5月11日 · 晶硅分为p型和n型硅两种,随着p型晶硅电池量产化转换效率逐渐趋于理论上限,而n型晶硅电池由于其硅片特性,具有更高的少子寿命,适合更为复杂的电池工艺并得到更高的电池转换效率。
2015年3月8日 · 根据各层沉积顺序的不同, 微晶硅太阳电池可分为p － i． n 和n ． i． P 两种结构． n ． i． P 结构可以沉积在不锈钢和塑料等不透明的柔性衬底上, 从而大大扩展了微晶硅太阳电池的应用范围．在微晶硅的沉积过程中, 随着厚度的增加, 薄膜会发生从非晶相到微晶相的转变b 1．. 当沉积条件靠近微晶／非晶相变区时, 这种结构演变更加明显．. 研究表明H 引, 微晶硅
采用射频化学气相沉积法,制备了一系列具有不同晶化率n型掺杂层的n-i-p结构微晶硅薄膜太阳电池.发现本征层的结构很大程度上依赖于n型掺杂层的结构,特别是n/i界面处的孵化层厚度以及本征层的晶化率.该系列太阳电池在100 mW/cm2的白光下照射400 h,实验
2022年8月3日 · 本发明的优势具体如下：(1)将n型掺杂微晶硅薄膜的掺杂气体由二氧化碳(co2)改为一氧化二氮(n2o),在相同功率4000w下的薄膜结晶性提升,折射率可容易匹配至较优区间,可维持较低电阻率与较高薄膜结晶率,以此判定为性能优秀的n型掺杂微晶硅薄膜。
2022年1月17日 · 本发明公开了一种N型晶硅电池的选择性硼掺杂方法,包括如下步骤:对制绒后的N型硅片进行硼扩散,形成硼的浅掺杂,且硼扩面上形成BSG;然后按照金属电极图形,在硼扩面上印刷能与BSG反应的腐蚀浆料,形成覆浆区域;然后通过加热使腐蚀浆料与覆浆区域的BSG发生
采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有