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多层瓷介电容常见失效模式及失效机理研究

多层瓷介电容器由陶瓷介质、金属内电极、端电极 三部分构成,各部分材料的热传系数(6T)和热膨胀系 数(CTE)差异较大,且陶瓷材料相对存在韧性差、热导 率低的特性,所以当电容器承受机械应力和温度应力时, 在瓷体和端电极交界面处易出现裂纹。

多层瓷介电容常见失效模式及失效机理研究

电容器主要的电参数为电容值,绝缘电阻,击穿电压以及损耗角正切值.引起陶瓷电容器上述电参数超差失效的原因通常为损耗性失效,过应力失效,内部缺陷以及外部缺陷引起的失效四类.本文对典型失效模式短路,开路以及电参数漂移相应的微观失效机理及失效原因展开

多层瓷介电容常见失效模式及失效机理研究

2021年2月18日 · 本文对典型失效模式短路、开路以及电参数漂移相应的微观失效机理及失效原因展开了深入研究,并提出了相应建议和预防措施。 关键词:多层陶瓷电容器;制造工艺;微观失效机理;失效原因;预防改进措施中图分类号:TN609...

电容器常见漏电失效模式分析及应用建议_崔德胜

2017年8月30日 · 本文主要针对瓷介电容器和钽电解电容器漏电问题,分析了典型失效案例和失效机理,并从理论和实践角度提出相应解决措施。 1 典型案例及失效机理分析 1.1 金属迁移导致漏电 1.1.1 瓷介电容器金属迁移 图 1 是某片式瓷介电容器因短路而失效后的表面和剖面照片。

研究|多层瓷介电容常见失效模式及机理

2021年4月16日 · 本文对典型失效模式短路、开路以及电参数漂移相应的微观失效机理及失效原因进行总结,并提出了相应建议和预防措施。 多层瓷介电容器典型失效模式有:短路、开路以及电参数漂移。 1 短路失效. 1.1电击穿. 1)电击穿失效机理. 电击穿是由于电容在强电场作用下,瓷介质内部可自由移动的少量载流子剧烈运动,与晶格上原子产生碰撞,从而形成更多的载流子,并产

多层瓷介电容常见失效模式及失效机理研究.docx

2023年9月24日 · 本文主要探讨了多层瓷介电容的常见失效模式及失效机理,包括瓷体开裂、电极短路、铁电极化损失等,同时也介绍了相关的测试方法和预防措施。 通过研究,可以更好地提高多层瓷介电容的可信赖性和稳定性。

片式多层瓷介电容器失效机理分析典型案例

2017年10月20日 · 经初步检查为芯片参考电压滤波多层片式陶瓷电容器失效所致,失效后此位置电容漏电很大。 本案例中主要分析此电容器失效的原因,同时分析同一块电路板上其他同型号6个电容外观是否存在损伤、电气参数是否在合格范围。

详细介绍陶瓷电容的失效模式和机理分析

2022年12月20日 · 陶瓷电容失效的主要原因是银离子迁移和由此导致的含钛陶瓷电介质加速老化。 在陶瓷电容器的制造中,一些生产商已经使用 镍电极代替银电极,并且在陶瓷基板上使用了化学镀镍。

瓷介电容器失效模式分析方法-电子发烧友

2024年9月20日 · 瓷介电容器的失效模式多种多样,但其失效机理大多与生产工艺、工作环境和使用条件等因素密切相关。通过深入分析失效模式的原因和机理,并采取有效的预防措施,可以显著提高电容器的可信赖性和稳定性。

多层瓷介电容器失效模式和机理

系统介绍了开路,短路和电参数漂移这三种主要的MLCC失效模式,以及介质层内空洞和电极结瘤,介质层分层,热应力和机械应力引起介质层裂纹,其他微观机理等五种主要的失效机理.针对MLCC的失效分析技术,从生产工艺和使用设计上提出了预防MLCC失效的措施.